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Proceedings Of The International Symposium On Power Semiconductor Devices And Ics
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英文
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Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc.
更新时间：
2026-04-07 13:53:15
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Proceedings Of The International Symposium On Power Semiconductor Devices And Ics 《国际功率半导体器件与集成电路研讨会论文集》（ISPSD）是功率电子器件领域的顶级会议。该会议录发表功率MOSFET、IGBT、宽禁带半导体（SiC/GaN）及功率集成电路研究，内容涵盖器件物理、制造工艺、封装技术及高压应用，推动了电力电子技术的核心器件革新。